| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI2331DS-T1-GE3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI2331DS-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 12V SOT23-3 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：48 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：780pF @ 6V 功率 - 最大值：710mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： RF 模具产品HPND-4038 热 - 垫，片A12620-15 Card EdgeEBC30DRTF-S13 按钮开关SCB15S15B-2A 灯 - 白炽灯，氖120PS LED- 高亮度电A008-ERED0-N2 电路板衬垫，支座HS-4-8 配件BP1440004 保险丝 - 电气，170M2709 固定式UP2T-821-R |
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